[发明专利]具有一气隙栅极侧壁间隔件的场效应晶体管及方法

摘要

本申请涉及具有一气隙栅极侧壁间隔件的场效应晶体管及方法，其揭露一种方法，其中，具有栅极帽以及牺牲栅极侧壁间隔件的栅极邻接晶体管的沟道区域而形成，以及具有柱塞帽的金属柱塞形成于源/漏区域上。该牺牲栅极侧壁间隔件被选择性蚀刻，生成暴露该栅极以及栅极帽的侧壁的空腔。可选的，该栅极帽的侧壁被回蚀刻以加宽该空腔的上部。沉积介电间隔层以于该空腔内形成气隙栅极侧壁间隔件。由于该柱塞帽、栅极帽以及介电间隔层使用的是不同的材料，随后形成的栅极接触开口将自对准该栅极。因此，栅极接触件可形成于有源区域的上方(或接近该有源区域)，而无栅极接触件至金属柱塞短路的风险。本申请也揭露根据该方法形成的一种结构。

主权项

1.一种方法，包括：形成一晶体管，包括：源/漏区域；至少一沟道区域，位于该源/漏区域之间；一栅极，邻接该沟道区域并具有一栅极帽以及一牺牲栅极侧壁间隔件；以及金属柱塞，位于该源/漏区域上，该牺牲栅极侧壁间隔件位于该金属柱塞以及该栅极之间，且该金属柱塞具有柱塞帽；选择性蚀刻该牺牲栅极侧壁间隔件以生成暴露该栅极以及该栅极帽的侧壁的一空腔；以及通过沉积一介电间隔层以形成一气隙栅极侧壁间隔件于该空腔中，以使一气隙形成在邻接该栅极的该空腔的一第一部分中，且使得该介电间隔层填充邻接该栅极帽的该空腔的一第二部分。