[发明专利]一种异质结光电传感器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810436741.2 申请日: 2018-05-09
公开(公告)号: CN108666381B 公开(公告)日: 2020-08-25
发明(设计)人: 张希;陈泽宇;陈文聪;刁东风 申请(专利权)人: 深圳大学
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/028;H01L31/032;H01L31/109;H01L31/18
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘文求
地址: 518060 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种异质结光电传感器及其制备方法,其中,所述光电传感器包括衬底、固定设置在衬底上的两个金属电极、以及堆叠在所述衬底上的二硫化钼薄膜和垂直生长石墨烯嵌入式碳膜,所述二硫化钼薄膜和垂直生长石墨烯嵌入式碳膜之间设置有部分重叠区域,所述部分重叠区域通过范德华相互作用形成光电异质结,所述二硫化钼薄膜和垂直生长石墨烯嵌入式碳膜不重叠的两端分别堆叠在所述两个金属电极表面。所述由二硫化钼薄膜和垂直生长石墨烯嵌入式碳膜堆叠形成的光电异质结能够有效提升光电传感器的响应灵敏度,其探测范围更广、探测能力更强。
搜索关键词: 一种 异质结 光电 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种异质结光电传感器,其特征在于,包括衬底、固定设置在衬底上的两个金属电极、以及堆叠在所述衬底上的二硫化钼薄膜和垂直生长石墨烯嵌入式碳膜,所述二硫化钼薄膜和垂直生长石墨烯嵌入式碳膜之间设置有部分重叠区域,所述部分重叠区域通过范德华相互作用形成光电异质结,所述二硫化钼薄膜和垂直生长石墨烯嵌入式碳膜不重叠的两端分别堆叠在所述两个金属电极表面。
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