[发明专利]具有极化匹配势垒层的增强型GaN HEMT及制备方法有效
| 申请号： | 201810436768.1 | 申请日： | 2018-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN108598162B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 王荣华;梁辉南;高珺 | 申请（专利权）人： | 大连芯冠科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 大连非凡专利事务所 21220 | 代理人： | 闪红霞 |
| 地址： | 116023 辽宁省大连市沙河口区高新*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： |
本发明公开一种具有极化匹配势垒层的增强型GaN HEMT，由下至上依次为衬底、缓冲层、沟道层及Al |
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| 搜索关键词： | 具有 极化 匹配 势垒层 增强 gan hemt 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有极化匹配势垒层的增强型GaN HEMT，由下至上依次为衬底（1）、缓冲层（2）、沟道层（3）及AlxInyGa1‑x‑yN势垒层（4），所述AlxInyGa1‑x‑yN势垒层（4）边缘有隔离区（5），在隔离区（5）之内有源区的AlxInyGa1‑x‑yN势垒层（4）上有源电极（6）、漏电极（7）及栅电极（8），其特征在于：所述AlxInyGa1‑x‑yN势垒层（4）由极化强度大于沟道层（3）的极化不匹配势垒层（4‑1）和极化强度与沟道层（3）匹配的极化匹配势垒层（4‑2）拼成，所述极化匹配势垒层（4‑2）位于栅电极（8）正投影下方区域内。
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