[发明专利]一种生长在Si衬底上的AlGaN基深紫外LED外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201810436882.4 | 申请日： | 2018-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN108597988A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 河源市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 曾嘉仪;徐朝荣 |
| 地址： | 517000 广东省河*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种生长在Si衬底上的AlGaN基深紫外LED外延片及其制备方法，该AlGaN基深紫外LED外延片为在Si(111)衬底上自下而上依次生长有AlN缓冲层、非故意掺杂AlGaN层、SiNx插入层、n型掺杂的AlGaN层、Al0.45Ga0.55N/Al0.55Ga0.45N多量子阱层、AlGaN电子阻挡层，p型掺杂的AlGaN层和p型掺杂的GaN层。该方法包括以下步骤:采用磁控溅射法生长AlN缓冲层；然后再采用金属有机物气相沉积法生长其余各层。本申请的LED外延材料具有质量高、生产周期短、效率高、便于大规模生产等优点，可用于杀菌消毒、医疗器械、军事预警等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 深紫外LED 生长 外延片 衬底 制备 生产周期 磁控溅射法 电子阻挡层 多量子阱层 金属有机物 气相沉积法 杀菌消毒 外延材料 插入层 可用 医疗器械 掺杂 预警 申请 军事 | ||
【主权项】：
1.一种生长在Si衬底上的AlGaN基深紫外LED外延片，其特征在于，在Si(111)衬底上自下而上依次生长有AlN缓冲层、非故意掺杂AlGaN层、SiNx插入层、n型掺杂的AlGaN层、Al0.45Ga0.55N/Al0.55Ga0.45N多量子阱层、AlGaN电子阻挡层，p型掺杂的AlGaN层和p型掺杂的GaN层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
