[发明专利]GaN基LED结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201810438378.8 | 申请日： | 2018-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN108598235B | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 李若雅;汪琼;祝庆;陈柏君;陈柏松 | 申请（专利权）人： | 芜湖德豪润达光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/16;H01L33/00 |
| 代理公司： | 44224 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郭玮;李双皓 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基LED结构，从下至上依次包括：衬底、第一N型掺杂GaN层、第一ZnGeN | ||
| 搜索关键词： | 制备 多量子阱层 阻挡层 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基LED结构，其特征在于，从下至上依次包括：衬底、缓冲层、第二ZnGeN
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芜湖德豪润达光电科技有限公司，未经芜湖德豪润达光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810438378.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
