[发明专利]高效激射输出DFB半导体激光器装置及光子集成发射芯片有效

专利信息
申请号: 201810440908.2 申请日: 2018-05-10
公开(公告)号: CN108649427B 公开(公告)日: 2020-09-01
发明(设计)人: 周亚亭;赵勤贤 申请(专利权)人: 常州工学院
主分类号: H01S5/12 分类号: H01S5/12;H01S5/40
代理公司: 常州西创专利代理事务所(普通合伙) 32472 代理人: 武政
地址: 213032 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种高效激射输出DFB半导体激光器装置及光子集成发射芯片。该激光器装置的选频光栅是普通的均匀光栅或均匀取样光栅,它有两个相互电隔离的电极,激光器的一个端面被镀有高反射膜,另一个端面镀有增透膜或采取了其他增透出光措施。本发明在降低激光器阈值的同时,提高了激光器有效激射输出激光的效率;通过改变相移区、反馈区注入电流大小或比例,在消除端面相位对激光器单模特性不利影响的前提下,连续调节激光器单模激射且激射波长满足ITU-T标准要求。如果总工作电流和工作温度保持不变,改变激光器相移区和反馈区注入电流比例,使得激光器单模激射且波长连续可调变化时,激光器激射输出功率将波动很小。
搜索关键词: 高效 输出 dfb 半导体激光器 装置 光子 集成 发射 芯片
【主权项】:
1.高效激射输出DFB半导体激光器装置,其特征在于:所述装置的选频光栅是沿激光腔连续的均匀光栅或均匀取样光栅,它有两个相互电隔离的电极,激光器的一个端面为镀有高反射膜的反射端面,激光器反射端面邻近电极为相移区电极,相移区电极相对应的激光器部分为相移区;另一个端面为镀有增透膜或采取增透出光措施的出射端面,出射端面邻近电极为反馈区电极,反馈区电极相对应的激光器部分为反馈区。
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