[发明专利]一种可单片集成的正温度系数补偿振荡器电路

摘要

一种可单片集成的正温度系数补偿振荡器电路包括启动电路、偏置电路、温度补偿电路和振荡器电路。振荡器电路中的充放电电容为MIM电容，其电容值具有负温度特性，即随着温度的上升，电容值减小，为补偿该电容的负温度特性，本发明采用正温度系数的偏置电路和温度补偿电路，选用不同正温度系数的电阻组合对电容的充放电电流进行温度补偿，以抵消电容的负温度特性，实现振荡器时钟频率的精确输出。

主权项

1.一种可单片集成的正温度系数补偿振荡器电路，其特征在于：包括启动电路、偏置电路、温度补偿电路和振荡器电路；所述启动电路包括P型场效应管MP1、MP2，N型场效应管MN1、MN2和电容C1；所述P型场效应管MP1的栅极与P型场效应管MP2的栅极连接后接地，漏极和P型场效应管MP2的漏极连接电源，源极连接N型场效应管MN1的漏极；所述N型场效应管MN1的漏极与栅极两端相连，栅极连接N型场效应管MN2的栅极，源极接地；所述N型场效应管MN2的漏极连接P型场效应管MP2的源极和电容C1的一端，源极连接电容C1另一端；所述偏置电路包括P型场效应管MP3、MP4、MP5，三极管Q1、Q2和电阻R1、R2；所述P型场效应管MP3、MP4、MP5的漏极连接电源，P型场效应管MP3的栅极连接P型场效应管MP4的栅极，源极连接启动电路的N型场效应管MN2的源极和三极管Q1的集电极；所述P型场效应管MP4的栅极与源极两端相连，源极连接P型场效应管MP5的栅极和三极管Q2的集电极；所述三极管Q1的集电极与基极两端相连，基极连接三极管Q2的基极，发射极接地；所述三极管Q2的发射极串接电阻R1后和P型场效应管MP5的源极串接电阻R2后并联接地；所述温度补偿电路包括电阻R3、R4，修调电阻阵列Rtrim，PNP型三极管Q3，NPN型三极管Q4和P型场效应管MP6；所述电阻R3的一端和P型场效应管MP6的漏极接电源，所述电阻R3的另一端连接三极管Q3的发射极，所述P型场效应管MP6的栅极和源极两端相连，源极连接三极管Q4的集电极；所述三极管Q4的发射极通过修调电阻阵列Rtrim接地，基极接于电阻R3和三极管Q3之间；所述三极管Q3的基极接于偏置电路中的P型场效应管MP5和电阻R2之间，集电极通过电阻R4接地；所述振荡器电路包括电容C2、P型场效应管MP7、MP8、MP9、MP10、MP11、MP12、MP13、MP14，N型场效应管MN3、MN4、MN5、MN6、MN7、MN8、MN9、MN10和振荡器OSC；所述P型场效应管MP7、MP8、MP10、MP11、MP12、MP13、MP14的漏极接电源；所述P型场效应管MP7、MP8、MP10、MP11的栅极与温度补偿电路中的P型场效应管MP6的栅极连接；所述P型场效应管MP7的源极连接N型场效应管MN3的漏极；所述N型场效应管MN3的漏极和栅极两端相连，栅极连接N型场效应管MN4的栅极，源极和N型场效应管MN4的源极连接，接地；所述N型场效应管MN4的漏极连接N型场效应管MN5的源极；所述N型场效应管MN5的漏极通过电容C2接地，栅极连接P型场效应管MP9的栅极；所述P型场效应管MP9的源极连接N型场效应管MN5的漏极，漏极连接P型场效应管MP8的源极；所述N型场效应管MN6、MN7、MN8、MN9、MN10的源极接地；所述N型场效应管MN6的栅极接于N型场效应管MN5和电容C2之间，漏极连接P型场效应管MP10的源极和N型场效应管MN7的栅极；所述N型场效应管MN7的漏极连接P型场效应管MP11的源极；所述N型场效应管MN8的栅极与P型场效应管MP12的栅极连接后接于N型场效应管MN7和P型场效应管MP11之间；所述N型场效应管MN8的漏极连接P型场效应管MP12的源极；所述N型场效应管MN9的栅极与P型场效应管MP13的栅极连接后接于N型场效应管MN8和P型场效应管MP12之间；所述N型场效应管MN9的漏极和P型场效应管MP13的源极连接后接于N型场效应管MN5和P型场效应管MP9之间；所述N型场效应管MN10的栅极和P型场效应管MP14的栅极连接后接于N型场效应管MN9和P型场效应管MP13之间；所述N型场效应管MN10的漏极和P型场效应管MP14的源极连接后接振荡器OSC。