[发明专利]利用有机单晶材料制备三基色组合的白光OLED器件及其制备方法在审
申请号: | 201810441342.5 | 申请日: | 2018-05-10 |
公开(公告)号: | CN108649145A | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 孙洪波;冯晶;董奉喜;丁然 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人: | 刘世纯 |
地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了利用有机单晶材料制备三基色组合的白光OLED器件及其制备方法,属于有机发光二极管(OLED)器件的制备技术领域,本发明以有机单晶材料为白光OLED器件的发光层主体材料,通过在主体材料(发A色光)中同时掺杂分别发B色光和C色光的两种客体分子,可制备出由A、B和C三基色组合而发高质量白光的OLED器件。本发明在发光层中采用两种不同色光的客体分子对主体有机单晶进行双掺杂,有效拓宽了器件发光的谱宽,显著提升了白光质量;并以单一发光层多掺杂的方式代替以往白光器件中的利用多发光层获得多基色光组合,简化了器件结构和加工工艺。 | ||
搜索关键词: | 色光 有机单晶 白光OLED器件 发光层 三基色 制备 材料制备 客体分子 白光 发光层主体材料 有机发光二极管 制备技术领域 白光器件 器件结构 主体材料 掺杂的 双掺杂 多基 发光 掺杂 | ||
【主权项】:
1.利用有机单晶材料制备三基色组合的白光OLED器件的方法,其特征在于,具体步骤如下:(1)、衬底准备;首先,将衬底依次置于丙酮、乙醇和去离子水中进行超声清洗,所用时间为10‑30min,并用氮气吹干并置于培养皿中;然后,用移液枪将疏水修饰剂滴涂在盛放衬底的培养皿底部空白处并加盖封闭,进而将整个培养皿置于真空烘箱中,使得疏水修饰剂挥发并对衬底表面进行超疏水修饰;最后,将完成修饰的衬底再依次置于丙酮、乙醇和去离子水中进行超声清洗,所用时间为10‑30min,并用氮气吹干;(2)、双掺杂生长三基色发光层材料;首先,将发光层主体材料与两种客体掺杂材料的粉末混合后置于研钵,并加入有机溶剂,充分研磨待混合物呈油漆状后,置于烘箱内烘干以去除溶剂,得到均匀混合的三基色发光层材料的前驱体粉末;然后,将前驱体粉末收集至石英管内,置于双温区管式炉中,并确保前驱体粉末位于双温区管式炉的高温区;最后,通入载流气体,待其流速稳定后设置双温区各自的温度并开始加温,利用物理气相传输法生长出片状的、悬挂于石英管壁的双掺杂生长三基色发光层材料;(3)、制备基于三基色发光层的OLED器件;器件结构中各层的制备顺序为:修饰层/阳极生长→模板剥离转写→空穴阻挡层/阴极生长;首先,用镊子将步骤(2)的双掺杂生长三基色发光层材料转移至步骤(1)中准备好的衬底上,并在其上方覆盖阳极金属掩膜板,后置于有机蒸发炉中依次生长修饰层和阳极,取出并摘掉金属掩膜板后待用;随后,在器件上表面滴一滴光刻胶,取一片与器件衬底同等大小的玻璃片覆盖在光刻胶上方,使光刻胶在玻璃片重力作用下均匀摊开至覆盖整个器件表面乃至稳定,置于紫外灯下曝光使光刻胶固化并黏附于玻璃片上成为新衬底,用刀片将步骤(1)中的衬底从器件剥离,此时器件结构由下至上依次为玻璃/光刻胶/阳极/修饰层/发光层;最后,将器件再次置于有机蒸发炉中,并再次覆盖金属掩膜板,依次生长空穴阻挡层和阴极,完成整个器件制备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林大学,未经吉林大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810441342.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择