[发明专利]一种改善Flash磨损寿命的方法、控制装置及存储系统有效
| 申请号： | 201810441749.8 | 申请日： | 2018-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN108628552B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 胡晓宇 | 申请（专利权）人： | 南京道熵信息技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 孟红梅 |
| 地址： | 211100 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善Flash磨损寿命的方法、控制装置及存储系统，该方法包括：收集各个Flash芯片上不同Block/Page的原始误码率RBER和纠正误码数CBE；当RBER增加到一定程度时，计算得到相应Block/Page的最优读电平阀值并写入相应的Flash芯片；并根据CBE将空闲的Block/Page进行分类，将CBR较低的Block/Page分配给更新频率高的数据，将CBR较高的Block/Page分配给更新频率低的数据。本发明一方通过调整读电平阀值，使得RBER降低，另一方面通过匹配数据的更新特质与Flash的Endurance磨损能够延缓块的损坏速度，提高Flash的磨损寿命。本发明可应用于固态硬盘，磁盘阵列，固态缓存，分布式存储系统，大数据应用等诸多领域，具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 flash 磨损 寿命 方法 控制 装置 存储系统 | ||
【主权项】：
1.一种改善Flash 磨损寿命的方法，其特征在于，包括：收集各个Flash芯片上不同Block/Page的原始误码率RBER，当RBER增加到一定程度时，计算得到相应Block/Page的最优读电平阀值并写入相应的Flash芯片；所述最优读电平阀值从预先获取的RBER与读电平阀值关系表中查询得到，或者在线从多个可能的读电平阀值根据似然函数选取出最优读电平阀值；收集各个Flash芯片上不同Block/Page的纠正误码数CBE，根据CBE将空闲的Block/Page进行分类，将CBR较低的Block/Page分配给更新频率高的数据，将CBR较高的Block/Page分配给更新频率低的数据；其中数据更新频率的高低信息根据用户逻辑地址LBA冷热计数器判断，或者，根据数据写请求的来源区分。
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