[发明专利]一种高速集成DFB半导体激光器芯片及制备方法有效
| 申请号： | 201810441768.0 | 申请日： | 2018-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN108400523B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 薛贤旺;薛贤铨;孙全意 | 申请（专利权）人： | 厦门市炬意科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 厦门荔信律和知识产权代理有限公司 35282 | 代理人： | 杨光 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市中国（福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种高速集成DFB半导体激光器芯片及制备方法，所述高速集成DFB半导体激光器芯片包括：衬底层、激光器结构、介质层、探测器结构、BCB层；所述激光器结构与所述探测器结构分别生长在所述衬底层上的两侧；在所述激光器结构与所述探测器结构之间生长所述介质层，且所述介质层位于所述衬底层上，所述BCB层填充在所述探测器结构的四周，且位于所述衬底层上。本发明采用选择区域生长的方法实现激光器结构与探测器结构的单片集成，提高器件封装效率、降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高速 集成 dfb 半导体激光器 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高速集成DFB半导体激光器芯片，其特征在于，所述高速集成DFB半导体激光器芯片包括：衬底层、激光器结构、介质层、探测器结构、BCB层；所述激光器结构与所述探测器结构分别生长在所述衬底层上的两侧；在所述激光器结构与所述探测器结构之间生长所述介质层，且所述介质层位于所述衬底层上，所述BCB层填充在所述探测器结构的四周，且位于所述衬底层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门市炬意科技有限公司，未经厦门市炬意科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810441768.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
