[发明专利]一种热处理辅助激光熔覆方法有效
| 申请号： | 201810442242.4 | 申请日： | 2018-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN108359981B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 简明德;孔令华;练国富;雷鹏达 | 申请（专利权）人： | 福建工程学院 |
| 主分类号： | C23C24/10 | 分类号： | C23C24/10;C21D1/00;C21D11/00 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 王美花 |
| 地址： | 350000 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种热处理辅助激光熔覆方法，包括如下步骤：步骤10、基体表面预处理后将预置层放置在基体上，将放有预置层的基体放置于热处理炉的工作台中；步骤20、关闭热处理炉的盖子形成密闭空间，热处理炉按每分钟至多上升10℃的速率对热处理炉的炉内温度进行升温，直至达到热处理炉的预设炉内温度；步骤30、打开热处理炉的盖子，用激光器对准基体上放置的预置层进行激光熔覆；步骤40、关闭热处理炉的盖子形成密闭空间，完成激光熔覆的基体在热处理炉中冷却至室温；步骤50、取出已激光熔覆完成的基体；本发明在于提供一种克服激光快速加热、快速冷却过程中裂纹敏感性大的缺点，提供一种高效、操作简便、环保的一种热处理辅助激光熔覆方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 热处理 辅助 激光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种热处理辅助激光熔覆方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤10、基体表面预处理后将预置层放置在基体上，将放有预置层的基体放置于热处理炉的工作台中；步骤20、关闭热处理炉的盖子形成密闭空间，热处理炉按每分钟至多上升10℃的速率对热处理炉的炉内温度进行升温，直至达到热处理炉的预设炉内温度；步骤30、打开热处理炉的盖子，用激光器对准基体表面以及基体上放置的预置层进行激光熔覆，激光熔覆完成后基体表面形成熔覆层；步骤40、关闭热处理炉的盖子形成密闭空间，完成激光熔覆的基体在热处理炉中冷却至室温；步骤50、取出已激光熔覆完成的基体。
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