[发明专利]一种VAD制备高掺锗芯棒的装置及方法有效
| 申请号： | 201810444280.3 | 申请日： | 2018-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN108585470B | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 陈强;陈海斌;陈剑;李庆国 | 申请（专利权）人： | 成都富通光通信技术有限公司 |
| 主分类号： | C03B37/018 | 分类号： | C03B37/018 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王学强;罗满 |
| 地址： | 610097 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种VAD制备高掺锗芯棒的装置及方法，该装置包括沉积容腔、转轴、吊杆、靶棒、芯灯和包灯，转轴设置在沉积容腔上部可绕自身轴线转动并沿竖直方向上下移动，转轴下部装有吊杆，吊杆上安装有靶棒，芯灯和包灯安装在沉积容腔下部，所述芯灯和包灯的喷嘴为八层同心环结构，每层通有不同的气体。本发明提供的一种采用VAD工艺制造高掺锗芯棒的装置及方法，解决了现有技术中VAD工艺制备高掺锗芯棒时出现的松散体开裂，芯包折射率差不达标的问题，从而可通过VAD工艺制得高掺锗芯棒，提高制造弯曲不敏感光纤预制棒的直径。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vad 制备 高掺锗芯棒 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种VAD制备高掺锗芯棒的装置，包括沉积容腔、转轴、吊杆、靶棒、芯灯和包灯，转轴设置在沉积容腔上部可绕自身轴线转动并沿竖直方向上下移动，转轴下部装有吊杆，吊杆上安装有靶棒，芯灯和包灯安装在沉积容腔下部，其特征在于：所述芯灯和包灯的喷嘴为八层同心环结构，每层通有不同的气体。
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