[发明专利]基于所监测的芯片温度动态调整电源电压

摘要

本发明的各实施方式总体上涉及基于所监测的芯片温度动态调整电源电压。具体地，在一个实施例中，一种方法包括监测半导体芯片的温度、以及基于所监测的温度为该半导体芯片调整电源电压。可以由位于芯片上或芯片外的温度传感器对该温度进行监测。调整该电源电压包括随着所监测的温度降低而增大该电源电压。只有当所监测的温度低于阈值温度时，才发生该电源电压的增大。该电源电压调整通过具有与温度的负斜率的线性关系来确定。

主权项

1.一种方法，包括：监测半导体芯片的温度；基于所监测的温度为所述半导体芯片调整电源电压；其中，调整所述电源电压包括：随着所监测的温度降低而增大所述电源电压，并且只有当所监测的温度低于阈值温度时，才发生增大所述电源电压，并且其中调整所述电源电压通过在所监测的温度低于所述阈值温度的情况下具有负斜率的线性关系来确定；其中调整所述电源电压是根据以下公式来进行：Vdd＝标称_Vdd+最小值(0，所监测的温度‑所述阈值温度)*所述负斜率；并且其中Vdd是所述电源电压，其中所述负斜率的值是可编程的值，并且其中所述方法还包括：通过写寄存器以改变所述可编程的值来控制具有所述负斜率的所述线性关系。