[发明专利]具有自旋量子位的量子器件在审
| 申请号： | 201810445082.9 | 申请日： | 2018-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN108878519A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 路易斯·胡廷;西尔瓦诺·德弗兰切斯基;特里斯坦·默尼耶;M·维纳特 | 申请（专利权）人： | 原子能和替代能源委员会;国家科学研究中心 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;G06N99/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 徐川;姚开丽 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有自旋量子位的量子器件(100)，量子器件(100)包括：‑第一半导体层(102)，包括通过隧穿势垒(108)彼此连接的数据量子位(104)和测量量子位(106)的第一矩阵；‑对量子位进行寻址的装置，被配置成通过场效应来控制每个隧穿势垒的导电并且包括：第一导电部分和第二导电部分(116，124)，分别布置在第一叠置金属化层面和第二叠置金属化层面(112，114)中；第一导电通路和第二导电通路(118，126)，各自包括分别连接到第一导电部分和第二导电部分中的一个的第一端(120，128)以及面向隧穿势垒中的一个放置的第二端(122，130)；‑第一介电层，插入于隧穿势垒和第一导电通路及第二导电通路的第二端之间。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 导电通路 隧穿势垒 量子位 量子器件 金属化层面 叠置 自旋 矩阵 半导体层 彼此连接 测量量子 场效应 第一端 介电层 寻址 配置 | ||
【主权项】：
1.具有自旋量子位的量子器件(100)，至少包括：‑第一半导体层(102)，包括通过隧穿势垒(108)彼此连接的数据量子位(104)和测量量子位(106)的第一矩阵；‑对数据量子位(104)和测量量子位(106)进行寻址的装置，被配置成通过场效应来控制每个隧穿势垒(108)的导电并且至少包括：·第一导电部分和第二导电部分(116，124)，分别布置在第一叠置金属化层面和第二叠置金属化层面(112，114)中；·第一导电通路和第二导电通路(118，126)，各自包括分别连接到所述第一导电部分和所述第二导电部分(118，126)中的一个的第一端(120，128)以及面向所述隧穿势垒(108)中的一个放置的第二端(122，130)；‑第一介电层(111)，插入于所述隧穿势垒(108)和所述第一导电通路及所述第二导电通路(118，126)的所述第二端(122，130)之间。
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