[发明专利]偏置脉冲CMP沟槽图案

摘要

抛光垫适用于抛光或平坦化半导体、光学和磁性衬底中的至少一种的晶片。所述抛光垫包括位于抛光层中的径向进料槽，所述径向进料槽将所述抛光层分成抛光区域。所述径向进料槽从邻近于所述抛光垫的中心的位置至少延伸到邻近于外边缘的位置。每个抛光区域包括连接一对相邻径向进料槽的一系列偏置沟槽。大部分的所述偏置沟槽向内偏向所述抛光垫的中心或向外偏向所述抛光垫的外边缘以便引导抛光液。

主权项

1.一种抛光垫，其适用于抛光或平坦化半导体、光学和磁性衬底中的至少一种的晶片，所述抛光垫包括以下：具有聚合物基质和厚度的抛光层，所述抛光层包括所述抛光垫的中心、外边缘和从所述中心延伸到所述外边缘的半径；位于所述抛光层中的径向进料槽，所述径向进料槽将所述抛光层分成抛光区域，所述径向进料槽从邻近于所述中心的位置至少延伸至邻近于所述抛光垫的所述外边缘的位置；和每个抛光区域，其包括连接一对相邻径向进料槽的一系列偏置沟槽，大多数的所述偏置沟槽向内偏向所述抛光垫的所述中心或向外偏向所述抛光垫的所述外边缘，所述向内与向外偏置沟槽均用于抛光液向所述抛光垫的所述外边缘移动，并且移向所述晶片或远离晶片取决于向内偏置或向外偏置和所述抛光垫的旋转方向，其中所述偏置沟槽总数目是所述径向进料槽总数目的至少十五倍。