[发明专利]一种降低碳化硅多层结构中p型记忆效应的方法

摘要

本发明公开了一种降低碳化硅多层结构中p型记忆效应的方法，利用氯基气体对p型掺杂的抑制作用，采用非氯基工艺气体生长p型外延层，采用氯基工艺气体生长n型外延层，在p型向n型外延层切换过程中，加入氯化氢辅助反应室高温处理，在n型向p型外延层切换过程中，加入p型掺杂源辅助的反应室高温处理。在保障高效p型掺杂的同时，又能够有效降低n‑p复合结构中n型外延层中的p型掺杂记忆效应，可以降低碳化硅多层结构中p型记忆效应，提高后续研制器件的性能及可靠性，为碳化硅多层结构外延材料的批量生产提供技术支持，具有较大的推广价值。

主权项

1.一种降低碳化硅多层结构中p型记忆效应的方法，其特征在于：包括步骤：(1)将碳化硅衬底置于碳化硅外延系统反应室内的石墨基座上；(2)采用氩气对反应室气体进行多次置换，然后向反应室通入氢气，逐渐加大氢气流量至60～120L/min，设置反应室的压力为80～200mbar，并将反应室逐渐升温至1550～1700℃，到达设定温度后，保持所有参数不变，对碳化硅衬底进行5～15分钟原位氢气刻蚀处理；(3)保持反应室压力、氢气流量以及温度不变，根据外延层的掺杂类型选择不同类型的工艺气体进行外延生长；生长p型外延层时，选用非氯基工艺气体；生长n型外延层时，选用氯基工艺气体；生长不同掺杂类型的外延层时，采用特殊的切换工艺；(4)完成外延结构生长后，关闭生长源和掺杂源，在氢气氛围中将反应室温度降至室温，然后将氢气排出，并通入氩气对反应室气体进行多次置换，并利用氩气将反应室压力提高至大气压，然后开腔取片。