[发明专利]一种肖特基二极管组件及其制造方法在审
| 申请号： | 201810447225.X | 申请日： | 2018-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN108400134A | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 李亦衡;朱廷刚;张葶葶 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L21/50 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供一种肖特基二极管组件及其制造方法。所述组件包括：肖特基二极管；两个稳压二极管，所述稳压二极管的击穿电压小于所述肖特基二极管的击穿电压，两个所述稳压二极管反向串联后与所述肖特基二极管并联，并与所述肖特基二极管封装在一起。利用本申请中各个实施例，可以尽可能避免肖特基二极管被反向击穿，有效提高肖特基二极管的UIS能力，有效提高肖特基二极管的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基二极管 稳压二极管 击穿电压 反向串联 反向击穿 组件包括 并联 封装 申请 制造 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基二极管组件，其特征在于，所述组件包括：肖特基二极管；两个稳压二极管，所述稳压二极管的击穿电压小于所述肖特基二极管的击穿电压，两个所述稳压二极管反向串联后与所述肖特基二极管并联，并与所述肖特基二极管封装在一起。
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