[发明专利]功率半导体模块布置结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201810447905.1 | 申请日： | 2018-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN108878374B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | E·屈勒;M·诺曼 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L21/50 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周家新 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种功率半导体模块布置结构包括待布置在壳体中的基板、被配置成当所述基板布置在所述壳体内时提供所述壳体的内部与外部之间的电连接的接触元件以及被配置成将所述接触元件连接到所述基板的连接元件。所述连接元件包括第一电绝缘层、被配置成将所述接触元件附接到所述第一电绝缘层上的第二电绝缘层以及被配置成将所述第一电绝缘层附接到所述基板上的第三电绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 模块 布置 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体模块布置结构，包括：待布置在壳体中的基板(30)；接触元件(41)，其被配置成当所述基板(30)布置在所述壳体内时提供所述壳体的内部与外部之间的电连接；以及连接元件(50)，其被配置成将所述接触元件(41)连接到所述基板(30)，其中，所述连接元件(50)包括：第一电绝缘层(51)，被配置成将接触元件(41)附接到所述第一电绝缘层(51)的第二电绝缘层(511)，以及被配置成将所述第一电绝缘层(51)附接到所述基板(30)的第三电绝缘层(512)。
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