[发明专利]均匀CMP抛光方法

摘要

本发明提供一种用于抛光或平坦化半导体、光学和磁性衬底中的至少一种的晶片的方法。所述方法包括旋转抛光垫，所述抛光垫在抛光层中具有径向进料槽，所述径向进料槽将所述抛光层分成抛光区域。所述径向进料槽从邻近于所述中心的位置至少延伸至邻近于所述外边缘的位置。各抛光区域包括连接一对相邻径向进料槽的一系列偏置沟槽。所述系列偏置沟槽分隔着落区域且具有更接近所述中心的内壁和更接近所述外边缘的外壁。在多次旋转的情况下，使所述晶片抵压在所述旋转抛光垫上旋转，从而利用所述溢流抛光液所润湿的着落区域抛光或平坦化所述晶片。

主权项

1.一种用于抛光或平坦化半导体、光学和磁性衬底中的至少一种的晶片的方法，所述方法包含以下：旋转抛光垫，所述抛光垫具有：具有聚合物基质和厚度的抛光层，所述抛光层包括所述抛光垫的中心、外边缘和从所述中心延伸至所述外边缘的半径；位于所述抛光层中的径向进料槽，所述径向进料槽将所述抛光层分成抛光区域，所述抛光区域是由两个相邻径向进料槽界定的圆扇区，所述径向进料槽从邻近于所述中心的位置至少延伸至邻近于所述外边缘的位置；和各抛光区域，其包括连接一对相邻径向进料槽的一系列偏置沟槽，所述系列偏置沟槽分隔着落区域且具有更接近所述中心的内壁和更接近所述外边缘的外壁；将抛光液分配至所述旋转抛光垫上并且进入所述径向进料槽和所述系列偏置沟槽中，离心力使抛光液通过所述径向进料槽、所述系列偏置沟槽向所述抛光垫的所述外边缘移动并且溢流出所述外壁以润湿着落区域，然后流入后续偏置沟槽的内壁，大多数的所述偏置沟槽向内偏向所述抛光垫的所述中心或向外偏向所述抛光垫的所述外边缘；和在多次旋转的情况下，使所述晶片抵压在所述旋转抛光垫上旋转，从而利用所述溢流抛光液所润湿的着落区域去除所述晶片的至少一种组件。