[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201810449776.X | 申请日： | 2011-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108321091A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;陈岚 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种不容易因微型化而产生电特性变动的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：包括第一区、与第一区的侧面接触的一对第二区、与一对第二区的侧面接触的一对第三区的氧化物半导体膜；设置在氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜；以及栅极绝缘膜上的与第一区接触的第一电极，其中，第一区为CAAC氧化物半导体区，一对第二区及一对第三区为包含掺杂物的非晶氧化物半导体区，一对第三区的掺杂浓度比一对第二区的掺杂浓度高。 | ||
| 搜索关键词： | 第一区 半导体装置 氧化物半导体膜 栅极绝缘膜 侧面接触 掺杂 非晶氧化物半导体 氧化物半导体 微型化 第一电极 掺杂物 电特性 浓度比 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：晶体管，包括：氧化物半导体膜，包括：第一区；一对第二区，所述第一区位于所述一对第二区之间；以及一对第三区，所述第一区及所述一对第二区位于所述一对第三区之间；所述氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜；所述栅极绝缘膜上的并与所述第一区重叠的栅电极；与所述氧化物半导体膜电连接的第一电极；以及与所述氧化物半导体膜电连接的第二电极，其中，所述氧化物半导体膜包含铟、镓及锌，其中，所述栅电极、所述第一电极及所述第二电极包含铜，其中，所述栅极绝缘膜与所述一对第二区的至少一部分和所述第一区重叠，并且其中，所述一对第三区的导电率比所述一对第二区的导电率高。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810449776.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件及其形成方法
- 下一篇：用于清理焊球模板的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
