[发明专利]具有选择器件的PCRAM结构有效
| 申请号： | 201810450258.X | 申请日： | 2018-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN109860387B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种存储器件包括衬底；设置在衬底上方的底部电极；设置在底部电极上方的绝缘层，绝缘层具有限定在绝缘层中的贯通孔；设置在贯通孔中的加热器；设置在加热器上方的相变材料层；设置在相变材料层上方的选择器层；以及设置在选择器层上方的金属层。金属层比相变材料层更宽。本发明的实施例还涉及具有选择器件的PCRAM结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 选择 器件 pcram 结构 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，包括：衬底；底部电极，设置在所述衬底上方；绝缘层，设置在所述底部电极上方，所述绝缘层具有限定在所述绝缘层中的贯通孔(h)；加热器，设置在所述贯通孔(h)中；相变材料层，设置在所述加热器上方；选择器层，设置在所述相变材料层上方；以及金属层，设置在所述选择器层上方。
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