[发明专利]带校准型归一化桥接电容转换电路有效
| 申请号： | 201810450924.X | 申请日： | 2018-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN108649957B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 杨平;岑远军;李大刚;李永凯;王波;廖志凯 | 申请（专利权）人： | 成都华微电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03M1/46 | 分类号： | H03M1/46 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610041 四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 带校准型归一化桥接电容转换电路，包括桥接电容和由数据位电容构成的低N位电容阵列、高M位电容阵列，所有数据位电容的电容值均为单位电容值的整数倍，其倍数与其数据位权重值相对应，所述低N位电容阵列仅由N个低位电容构成，每个低位电容对应一个数据位；所述桥接电容的电容值为1个单位电容值；桥接电容和数据位电容均由X个独立的单位电容组成，X为自然数，取值由该电容所在位置确定，每个单位电容的电容值为1个单位电容值；高M位电容阵列中，每个电容都与一个修调阵列配对连接，N‑X≤10。本发明保证整个电荷重分布电容阵列均为单位电容，同时在高X位均增加电容修调阵列，保证最终成品电路精度达到12位及以上精度要求。 | ||
| 搜索关键词： | 校准 归一化 电容 转换 电路 | ||
【主权项】：
1.带校准型归一化桥接电容转换电路，包括桥接电容和由数据位电容构成的低N位电容阵列、高M位电容阵列，所有数据位电容的电容值均为单位电容值的整数倍，其倍数与其数据位权重值相对应，N和M皆为自然数，其特征在于：所述低N位电容阵列仅由N个低位电容构成，每个低位电容对应一个数据位；所述桥接电容的电容值为1个单位电容值；桥接电容和数据位电容均由X个独立的单位电容组成，X为自然数，取值由该电容所在位置确定，每个单位电容的电容值为1个单位电容值；高M位电容阵列中，每个电容都与一个修调阵列配对连接，N‑X≤10。
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