[发明专利]SAR型ADC电容重分布阵列归一化桥接电容电路在审
| 申请号： | 201810451472.7 | 申请日： | 2018-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN108649958A | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 杨平;李永凯;王波;齐旭;岑远军;黄欣 | 申请（专利权）人： | 成都华微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03M1/46 | 分类号： | H03M1/46;H03M1/06 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | SAR型ADC电容重分布阵列归一化桥接电容电路，涉及集成电路。本发明低N位电容阵列仅由N个低位电容构成，每个低位电容对应一个数据位；所述桥接电容的电容值为1个单位电容值；桥接电容和数据位电容均由X个独立的单位电容组成，X为自然数，取值由该电容所在位置确定，每个单位电容的电容值为1个单位电容值。本发明保证整个电容阵列均为单位电容，最大限度提升DA内核的转换线性度。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 单位电容 桥接 电容电路 电容阵列 分布阵列 归一化 低位 线性度 内核 集成电路 转换 保证 | ||
【主权项】：
1.SAR型ADC电容重分布阵列归一化桥接电容电路，包括桥接电容和由数据位电容构成的低N位电容阵列、高M位电容阵列，所有数据位电容的电容值均为单位电容值的整数倍，其倍数与其数据位权重值相对应，其特征在于，所述低N位电容阵列仅由N个低位电容构成，每个低位电容对应一个数据位；所述桥接电容的电容值为1个单位电容值；桥接电容和数据位电容均由X个独立的单位电容组成，X为自然数，取值由该电容所在位置确定，每个单位电容的电容值为1个单位电容值。
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