[发明专利]Cu/CuI/ZnO结构的紫外光探测器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种Cu/CuI/ZnO结构的紫外光探测器及其制备方法，在柔性、透明的衬底上通过喷涂沉积一层铜纳米线(Cu NWs)导电网络薄膜，然后通过碘化，使单质碘与Cu NWs表面反应得到CuI的外层。接下来用溶胶‑凝胶法在Cu/CuI结构上面预生长一层氧化锌的晶种，再采用低温水热的方法在Cu/CuI结构上面生长氧化锌纳米材料的活性层，然后在上面制备电极制得紫外传感器件。该紫外传感器的透光度在60%以上，在2v的电压下具有良好的紫外传感性能，而且具有良好的机械性能，在弯折1000次后还可以保持原来的传感性能不发生衰减。本发明工艺简单，成功的制备了一种异质结结构，可以大规模制备。

主权项

1.Cu/CuI/ZnO结构的紫外光探测器，其特征在于：由内至外依次包括衬底、Cu/CuI/ZnO双壳层结构及电极层；所述衬底的外表面覆盖有铜纳米线制备而成的导电网络薄膜层，所述薄膜层的外表面具有碘化后形成的P型CuI壳层，所述P型CuI壳层与在其上面生长的N型ZnO壳层形成CuI/ZnO异质结结构；所述铜纳米线的长度为5~20μm，直径为80~120 nm；所述ZnO壳层，通过水热法在CuI壳层表面生长形成，ZnO纳米材料轴向生长于Cu/CuI线上。