[发明专利]基于压阻检测的谐振式压力传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201810454924.7 | 申请日： | 2018-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN108516518B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 陈德勇;鲁毓岚;王军波;侍小青;谢波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00;G01L1/22;G01L9/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 喻颖 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于压阻检测的谐振式压力传感器及其制备方法，该谐振式压力传感器包括压力敏感膜、位于压力敏感膜上的谐振器和六个锚点，该谐振器包括双端固支梁和位于双端固支梁两侧的两个驱动电极，其中该双端固支梁包括两端部和连接至该两端部的两根单梁，通过对称地在该两根单梁的根部区域进行刻蚀，在该两根单梁的根部形成体压阻，在该两端部形成相同的三电极结构，其中一个三电极结构悬空，另一个三电极结构以中间位置的电极作为接地端，以两侧位置的电极作为检测电极；该六个锚点分别位于两个三电极结构下方，将该双端固支梁固支于压力敏感膜上。本发明采用压阻检测及谐振器音叉振动方式，提高了输出信号强度，增强了抗干扰能力和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 检测 谐振 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于压阻检测的谐振式压力传感器，包括在SOI片上集成的传感器本体，其包括：压力敏感膜，由SOI片的基底层形成；谐振器，由SOI片的器件层形成，位于所述压力敏感膜上方，该谐振器包括：双端固支梁，包括两端部和连接至该两端部的两根单梁，通过对称地在该两根单梁的根部区域进行刻蚀，在该两根单梁的根部形成体压阻，在该两端部形成相同的三电极结构，其中：一端部的三电极结构悬空，另一端部的三电极结构以中间位置的电极作为接地端，以两侧位置的电极作为检测电极；以及两个驱动电极，分别位于所述双端固支梁的两侧，在该两个驱动电极上施加直流、交流驱动电压，以静电力驱动该双端固支梁发生音叉振动，其中，所述接地端和两个检测电极能够连接至电阻/电压检测电路以测量所述体压阻上的电阻/电压随该音叉振动而产生的变化；以及六个锚点，由SOI片的绝缘层形成，分别位于所述双端固支梁的两端部的三电极结构下方，将所述双端固支梁固支于所述压力敏感膜上。
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