[发明专利]图像传感器及其形成方法在审
申请号: | 201810455117.7 | 申请日: | 2018-05-14 |
公开(公告)号: | CN108666334A | 公开(公告)日: | 2018-10-16 |
发明(设计)人: | 何延强;林宗德;黄仁德;李晓明;何玉坤 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣;吴敏 |
地址: | 223302 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种图像传感器及其形成方法,其中形成方法包括:提供基底,所述基底包括第一区和第二区,所述第一区基底内具有光电掺杂区,所述基底包括相对的第一面和第二面;在所述第二区基底内形成第一开口,所述第一面暴露出第一开口;在所述第一开口内形成连接层,连接层包括相对的第三面和第四面,且第一开口暴露出三面;在所述第三面和第一面形成介质层,所述介质层内具有第一插塞,所述第一插塞与第三面接触;在所述第二区基底内形成第二开口,所述第二面暴露出第二开口,且所述第二开口底部暴露出连接层的第四面。所述方法能够增加量子转化效率的同时,降低形成贯穿基底的开口结构的难度。 | ||
搜索关键词: | 基底 开口 连接层 图像传感器 第二面 第一区 介质层 插塞 暴露 量子转化效率 开口结构 掺杂区 面暴露 面接触 面形 三面 贯穿 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底包括第一区和第二区,所述第一区基底内具有光电掺杂区,所述基底包括相对的第一面和第二面;在所述第二区基底内形成第一开口,所述第一面暴露出第一开口;在所述第一开口内形成连接层,所述连接层包括相对的第三面和第四面,且所述第一开口暴露出所述第三面;在所述第三面和第一面形成介质层,所述介质层内具有第一插塞,且所述第一插塞与第三面接触;在所述第二区基底内形成第二开口,所述第二面暴露出第二开口,且所述第二开口底部暴露出连接层的第四面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的