[发明专利]具有双侧金属布线的半导体封装件有效
| 申请号： | 201810455793.4 | 申请日： | 2018-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN109216219B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 郑心圃;陈硕懋;刘献文;庄博尧;许峯诚;林柏尧 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 方法包括在载体上方形成再分布结构，再分布结构具有位于再分布结构的远离载体的表面上的导电部件；在再分布结构的表面上方形成导电柱；将管芯附接至再分布结构的邻近导电柱的表面，其中，管芯的管芯连接件电连接至再分布结构的导电部件；以及通过导电接头将预制衬底附接至导电柱，其中，导电接头位于导电柱上并且包括与导电柱不同的材料，其中，导电接头和导电柱将再分布结构电连接至预制衬底。本发明的实施例还涉及具有双侧金属布线的半导体封装件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 布线 半导体 封装 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，包括：在载体上方形成再分布结构，所述再分布结构具有位于所述再分布结构的远离所述载体的表面上的导电部件；在所述再分布结构的所述表面上方形成导电柱；将管芯附接至所述再分布结构的邻近所述导电柱的表面，其中，所述管芯的管芯连接件电连接至所述再分布结构的导电部件；以及通过导电接头将预制衬底附接至所述导电柱，其中，所述导电接头位于所述导电柱上并且包括与所述导电柱不同的材料，其中，所述导电接头和所述导电柱将所述再分布结构电连接至所述预制衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
