[发明专利]用于通过原子层沉积将过渡金属氮化物膜沉积在基材上的方法和相关沉积设备有效

专利信息
申请号: 201810456105.6 申请日: 2018-05-14
公开(公告)号: CN109136883B 公开(公告)日: 2022-11-18
发明(设计)人: R·B·米利根;E·J·夏洛;F·阿洛克扎;W·G·佩特洛;D·李;H·王;M·范巴斯;L·李;E·王 申请(专利权)人: ASMIP控股有限公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/52;C23C16/34
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 乐洪咏;朱黎明
地址: 荷兰阿*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请公开了用于通过原子层沉积将过渡金属氮化物膜沉积在基材上的方法和相关沉积设备。所述方法包括:在反应空间内的基材支架上提供至少一个基材;至少在至少一个腔室壁上暴露于气相反应物中的那些部分处控制至少一个腔室壁的温度;控制喷头的温度;将至少两种气相反应物交替并依序地进料到反应空间中,其中将喷头的温度控制在介于大致80℃与大致160℃之间的温度下。所述设备包括:安置于反应空间内的基材支架;控制至少一个腔室壁的温度的温度控制系统;以及控制喷头温度的温度控制系统。所述方法和系统不仅允许沉积高品质过渡金属氮化物膜,而且允许大量制造此类过渡金属氮化物膜。
搜索关键词: 用于 通过 原子 沉积 过渡 金属 氮化物 基材 方法 相关 设备
【主权项】:
1.一种用于通过在由至少一个腔室壁和喷头界定的反应空间中进行原子层沉积而将过渡金属氮化物膜沉积在基材上的方法,所述方法包括:在所述反应空间内的基材支架上提供至少一个基材;至少在所述至少一个腔室壁上暴露于气相反应物中的那些部分处控制所述至少一个腔室壁的温度;控制喷头的温度;以及将至少两种气相反应物交替并依序地进料到所述反应空间中,并且其中将所述喷头的温度控制在介于大致80℃与大致160℃之间的温度下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASMIP控股有限公司,未经ASMIP控股有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810456105.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top