[发明专利]用于通过原子层沉积将过渡金属氮化物膜沉积在基材上的方法和相关沉积设备有效
申请号: | 201810456105.6 | 申请日: | 2018-05-14 |
公开(公告)号: | CN109136883B | 公开(公告)日: | 2022-11-18 |
发明(设计)人: | R·B·米利根;E·J·夏洛;F·阿洛克扎;W·G·佩特洛;D·李;H·王;M·范巴斯;L·李;E·王 | 申请(专利权)人: | ASMIP控股有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52;C23C16/34 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 乐洪咏;朱黎明 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请公开了用于通过原子层沉积将过渡金属氮化物膜沉积在基材上的方法和相关沉积设备。所述方法包括:在反应空间内的基材支架上提供至少一个基材;至少在至少一个腔室壁上暴露于气相反应物中的那些部分处控制至少一个腔室壁的温度;控制喷头的温度;将至少两种气相反应物交替并依序地进料到反应空间中,其中将喷头的温度控制在介于大致80℃与大致160℃之间的温度下。所述设备包括:安置于反应空间内的基材支架;控制至少一个腔室壁的温度的温度控制系统;以及控制喷头温度的温度控制系统。所述方法和系统不仅允许沉积高品质过渡金属氮化物膜,而且允许大量制造此类过渡金属氮化物膜。 | ||
搜索关键词: | 用于 通过 原子 沉积 过渡 金属 氮化物 基材 方法 相关 设备 | ||
【主权项】:
1.一种用于通过在由至少一个腔室壁和喷头界定的反应空间中进行原子层沉积而将过渡金属氮化物膜沉积在基材上的方法,所述方法包括:在所述反应空间内的基材支架上提供至少一个基材;至少在所述至少一个腔室壁上暴露于气相反应物中的那些部分处控制所述至少一个腔室壁的温度;控制喷头的温度;以及将至少两种气相反应物交替并依序地进料到所述反应空间中,并且其中将所述喷头的温度控制在介于大致80℃与大致160℃之间的温度下。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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