[发明专利]一种莲藕脱毒组织培养方法

摘要

本发明公开了一种莲藕脱毒组织培养方法，包括如下步骤：（1）选材：选取无腐无病害、健壮莲藕块茎；（2）催芽：将选取好的莲藕块茎进行催芽；（3）表面处理；（4）切割；（5）初代培养；（6）增殖继代；（7）生根；（8）驯化炼苗：将根系发达的莲藕无菌小苗采用半干半湿苔藓包住根部，放于苗钵中，转移至小温棚中进行驯化。本发明的有益效果是：本发明对影响莲藕组培苗快繁的培养基、培养温度和光照时间及炼苗方法等开展了研究，成功地解决了脱毒、种性退化和提高繁殖系数的问题，提高了产品产量和品质，实现莲藕出口创汇和农民的增收。

主权项

1.一种莲藕脱毒组织培养方法，其特征在于：包括：（1）选材：春季或秋季选取无腐无病害、健壮莲藕块茎；（2）催芽：将选取好的莲藕块茎放置于20~28℃环境中直至得到有苞叶和芽体的莲藕块，春季选取的莲藕块茎如果已经有苞叶和芽体则不需要进行此步骤；（3）表面处理：对莲藕进行修剪，去掉大的苞叶和杆茎，修剪成一芽一杆的外植体，用自来水对其进行冲洗，滴入洗洁精冲洗15~20min，流水冲洗，直至将洗洁精冲洗干净；将莲藕外植体浸入75%酒精中处理1~5min，随后采用次氯酸钠溶液消毒15~20min，用无菌水冲洗干净；（4）切割：去掉外侧苞叶，去掉杆茎，保留0.5~1cm外植体；（5）初代培养：将步骤（4）得到的外植体接种到培养基Ⅰ上，放置于温度25~28℃、每天光照12~20h、光照强度为2500~3500Lux、培养40~60d；（6） 增殖继代：选取步骤（5）中得到的无菌苗将其接种到培养基Ⅱ上进行增殖培养，培养条件为：温度25~28℃、每天光照10~16h、光照强度为6000~9000Lux、培养25~35d；重复上述增殖过程；（7）生根：选取长势健壮的莲藕无菌苗，将其接种至培养基Ⅲ中，放置于温度25~28℃、每天光照12~20h、光照强度为7000~9000Lux的环境中，培养20~30d；（8）驯化炼苗：将步骤（7）得到的根系发达的莲藕无菌苗根部清洗干净，采用半干半湿苔藓包住根部，放置于苗钵中，转移到小温棚中进行驯化，遮荫，保持小温棚中温度为25~28℃，湿度维持在85%以上，此后湿度逐渐减低，直至新叶长出后移植到淤泥中；；其中：培养基Ⅰ为WPM培养基中添加1.0~3.0mg/LTDZ、0.5~2.0mg/LNAA、0.5~2g/L活性炭、0.5~3g/L蛋白胨、25~35g/L蔗糖和3~4g/L琼脂；培养基Ⅱ为WPM培养基中添加0.1~2.0mg/LTDZ、0.1~1.0mg/LNAA、25~35g/L蔗糖、3~4g/L琼脂、0.5~2g/L活性炭和1~5g/L蛋白胨；培养基Ⅲ为WPM培养基中添加0.1~1.0mg/LNAA、0.1~0.6mg/LIBA、25~35g/L蔗糖和3~4g/L琼脂。