[发明专利]晶片用调温装置及半导体设备有效
| 申请号： | 201810456369.1 | 申请日： | 2018-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN110484897B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 彭文芳;史全宇;常青;邱国庆;赵梦欣 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/46 | 分类号： | C23C16/46;C23C16/52;C23C14/54;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶片用调温装置，包括：加热体、冷却体以及调温件，其中，所述加热体包括第一导热面，所述冷却体包括第二导热面，所述第一导热面和所述第二导热面相对设置，且二者具有间隙；所述调温件位于所述第一导热面和所述第二导热面之间，且所述调温件分别与所述第一导热面和所述第二导热面接触；通过调节所述调温件分别与所述第一导热面和所述第二导热面接触的接触量能调节所述加热体向所述冷却体的传热功率。本发明该提供了一种半导体设备，所述调温装置可以适应不同的工艺温度、降低设备成本并且隔热效果良好。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 调温 装置 半导体设备 | ||
【主权项】：
1.一种晶片用调温装置，其特征在于，包括：加热体、冷却体以及调温件，其中，/n所述加热体包括第一导热面，所述冷却体包括第二导热面，所述第一导热面和所述第二导热面相对设置，且二者具有间隙；/n所述调温件位于所述第一导热面和所述第二导热面之间，且所述调温件分别与所述第一导热面和所述第二导热面接触；/n通过调节所述调温件分别与所述第一导热面和所述第二导热面接触的接触量能调节所述加热体向所述冷却体的传热功率。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
