[发明专利]半导体装置及其控制方法在审

专利信息
申请号: 201810457162.6 申请日: 2018-05-14
公开(公告)号: CN109039287A 公开(公告)日: 2018-12-18
发明(设计)人: 丸山勇一;松野典朗 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H03B5/04 分类号: H03B5/04;H03B5/32
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 李兰;孙志湧
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体装置及其控制方法,在将频率偏差保持在预定容许范围之内的同时抑制了电路规模和功耗的增加。根据实施例的半导体装置包括:可变负载电容电路,该可变负载电容电路包括并联耦合到晶体谐振器的一端的多个负载电容元件以及分别串联耦合到负载电容元件的多个开关;以及开关控制单元,用于根据是由于通过使晶体谐振器振荡而获得的频率信号的温度改变所引起的频率偏差的指标的信息来控制控制开关的通/断。开关控制单元改变多个开关当中的将要导通的开关的数量使得当信息未包括在预定容许范围之中时频率偏差的绝对值变小。
搜索关键词: 半导体装置 频率偏差 开关控制单元 晶体谐振器 电容电路 可变负载 负载电容元件 并联耦合 串联耦合 电路规模 电容元件 多个负载 频率信号 振荡 变小 导通 功耗
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:晶体谐振器;振荡电路,所述振荡电路使所述晶体谐振器振荡并且输出频率信号;可变负载电容电路,所述可变负载电容电路包括并联耦合到所述晶体谐振器的一端的多个负载电容元件以及分别串联耦合到所述负载电容元件的多个开关;以及开关控制单元,所述开关控制单元基于下述信息来控制所述开关的通/断,所述信息是由于温度改变引起的所述频率信号的频率偏差的指标,其中,当所述信息未包括在预定容许范围之内时,所述开关控制单元改变所述多个开关当中的将要导通的开关的数量,使得所述频率偏差的绝对值变小。
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