[发明专利]金属微器件LIGA成型过程中提高电铸层均匀性的方法有效
| 申请号： | 201810457726.6 | 申请日： | 2018-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN108624922B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 严战非;赵明;顾琪;杜立群;吕辉 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十四研究所;大连理工大学 |
| 主分类号： | C25D1/00 | 分类号： | C25D1/00;C25D1/10 |
| 代理公司： | 32203 南京理工大学专利中心 | 代理人： | 唐代盛<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 210039 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种金属微器件LIGA成型过程中提高电铸层均匀性的方法，首先在基板上涂第一负光刻胶，进行前烘，进行曝光，显影，并进行烘烤成坚硬胶膜；在图形化的第一负光刻胶胶膜上溅射导电金属，得到金属种子层；在种子层上涂覆正性光刻胶，经过前烘、曝光、显影后，将辅助结构的图形转移到正性光刻胶胶膜上，即形成掩蔽层；对种子层进行腐蚀，得到辅助结构图形的种子层；在具有微器件图形的金属基板和具有辅助结构图形的种子层上涂覆第二负光刻胶，经过前烘，曝光，后烘，显影，得到具有微器件和辅助结构图形的第二负光刻胶胶膜；微电铸金属；去除光刻胶及辅助结构电铸层，得到微器件；本方法提高复杂结构微器件的铸层均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 辅助结构 光刻胶 微器件 种子层 胶膜 电铸层 均匀性 前烘 显影 金属微器件 正性光刻胶 成型过程 曝光 涂覆 金属种子层 导电金属 复杂结构 金属基板 图形转移 图形化 微电铸 掩蔽层 烘烤 后烘 基板 溅射 铸层 去除 腐蚀 金属 | ||
【主权项】：
1.一种金属微器件LIGA成型过程中提高电铸层均匀性的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤S1、在基板上涂覆第一负光刻胶，制作牺牲层：在基板上涂第一负光刻胶，进行前烘，在基板上覆盖具有微器件图形的掩膜板进行曝光，显影，将微器件的图形转移到第一负光刻胶胶膜上，并进行烘烤成坚硬胶膜；/n步骤S2、制作种子层：在图形化的第一负光刻胶胶膜上溅射导电金属，得到导电金属种子层；/n步骤S3、制作掩蔽层：在导电种子层上涂覆正性光刻胶，经过前烘、在基板上覆盖具有辅助结构图形的掩膜板进行曝光、显影后，将辅助结构的图形转移到正性光刻胶胶膜上，即形成掩蔽层；/n步骤S4、对种子层进行腐蚀：对图形化的掩蔽层进行腐蚀，去除掩蔽层以外的导电金属种子层，然后去除正性光刻胶，得到辅助结构图形的种子层；/n步骤S5、制作具有微器件和辅助结构图形的第二负光刻胶胶膜：在具有微器件图形的金属基板和具有辅助结构图形的种子层上涂覆第二负光刻胶，经过前烘，在基板上覆盖具有微器件结构图形和辅助结构图形的掩膜板进行曝光，后烘，显影，得到具有微器件和辅助结构图形的第二负光刻胶胶膜；/n步骤S6、微电铸金属：将制作好的胶膜放入电铸液中进行微器件的电铸；/n步骤S7、去除光刻胶及辅助结构电铸层，得到微器件。/n
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