[发明专利]一种光罩的缺陷修复方法及光罩在审
| 申请号： | 201810457978.9 | 申请日： | 2018-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN110488568A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 张晨波;张健澄 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/72 | 分类号： | G03F1/72 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 高伟;翟海青<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种光罩的缺陷修复方法及光罩，所述方法包括：提供待修复光罩，所述待修复光罩包括遮光层以及形成在所述遮光层中的透光图案，所述透光图案包括具有缺陷的待修复图案；在邻近所述缺陷的部分所述遮光层上形成散射图案。本发明的方法过程更加容易控制，能够对小尺寸的挑战性缺陷进行补救，并且该方法不会对光罩上的正常图案造成损伤，可以提高修复合格率，降低修复循环次数。 | ||
| 搜索关键词： | 光罩 遮光层 修复 透光图案 缺陷修复 散射图案 修复图案 正常图案 补救 损伤 合格率 邻近 | ||
【主权项】：
1.一种光罩的缺陷修复方法，其特征在于，包括：/n提供待修复光罩，所述待修复光罩包括遮光层以及形成在所述遮光层中的透光图案，所述透光图案包括具有缺陷的待修复图案；/n在邻近所述缺陷的部分所述遮光层上形成散射图案。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810457978.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：光罩装置
- 下一篇：一种光固化组合物及其成型材料的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
