[发明专利]一种基于环保型、无毒宽带隙半导体纳米晶缓冲层的碲化镉纳米晶太阳电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于环保型、无毒宽带隙半导体纳米晶缓冲层的碲化镉纳米晶太阳电池及其制备方法，所述太阳电池由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、窗口层、光活性层、缓冲层和阳极依次层叠构成。本发明溶液合成的ZnSe纳米晶能够很好分散在有机溶剂中，并将该溶液采用旋涂的方式形成窗口层，创新性的将宽带隙材料引入太阳电池结构的设计中。通过控制缓冲层的厚度，光活性层的热处理温度和界面处理方式，可以降低界面复合问题，提高太阳电池的器件性能。本发明的器件结构拓宽半导体材料在太阳电池领域的使用功能，可提高ZnSe/CdTe异质结太阳电池的能量转换效率。而且制备工艺简单，制备过程不必在真空环境下完成，大大地减少了制作成本。

主权项

1.一种基于环保型、无毒宽带隙半导体纳米晶缓冲层的碲化镉纳米晶太阳电池，其特征在于，所述太阳电池由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、窗口层、光活性层、缓冲层、阳极依次叠层而成；所述窗口层为ZnSe纳米晶；所述缓冲层为MoOx。