[发明专利]占空比可控的方波发生器有效
申请号: | 201810459105.1 | 申请日: | 2018-05-15 |
公开(公告)号: | CN108599741B | 公开(公告)日: | 2023-08-25 |
发明(设计)人: | 高玉琴 | 申请(专利权)人: | 高玉琴 |
主分类号: | H03K3/64 | 分类号: | H03K3/64;H03K3/017 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 225500 江苏省泰州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种占空比可控的方波发生器,一种占空比可控的方波发生器,其包括三极管T1、三极管T2、电阻R1、电阻R2、电容C1、比较器A1、电阻R3、电阻R4、电阻R5、三极管T3、非门F1、电阻R5三极管T1、电阻R1、构成一恒流电路对电容C1充电;三极管T2、电阻R2构成一恒流电路对电容C1放电,比较器A1、电阻R3、电阻R4、电阻R5构成一比较电路,非门F1根据比较结果通过三极管T3控制对电容C1的充放电,由此形成方波振荡。本占空比可控的方波发生器的特点是,改变控制电压ui可使方波信号uo的占空比发生变化,而方波信号uo的振荡周期不变;能满足自动控制的需要。 | ||
搜索关键词: | 可控 方波 发生器 | ||
【主权项】:
1.一种占空比可控的方波发生器,其包括三极管T1、三极管T2、三极管T3、比较器A1,其特征是,三极管T1的发射极通过电阻R1接电源VDD,三极管T1的集电极通过电容C1接地,三极管T2的集电极接三极管T1的集电极,三极管T2的发射极通过电阻R2接三极管T1的发射极,三极管T1和三极管T2的基极接控制电压ui,比较器A1的反相输入端接三极管T1的集电极,比较器A1的同相输入端通过电阻R3接电源VDD,比较器A1的同相输入端通过电阻R4接地,在比较器A1的同相输入端与输出之间接有电阻R5,比较器A1的输出端接非门F1的输入端,非门F1的输出端通过电阻R6接三极管T3的基极,三极管T3的集电极接三极管T1的发射极,比较器A1的输出端输出方波信号uo。
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