[发明专利]脉冲储能介质陶瓷材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201810459717.0 | 申请日： | 2018-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN108439974A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 张树人;袁颖;刘敬松;李惠琴 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;西南科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/47 | 分类号： | C04B35/47 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 脉冲储能介质陶瓷材料及制备方法，电子元器件材料领域。本发明的陶瓷材料主晶相为立方相SrTiO3，通式为Sr1‑x‑1.5yCaxBiyTiO3，0.05≤x≤0.2,0.05≤y≤0.2。本发明性能上实现了较大提升：现有技术配方放电效率一般低于85％，本发明的放电效率达到94.2％，介电损耗低于0.005，且性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 介质陶瓷材料 放电效率 脉冲储能 制备 电子元器件材料 技术配方 介电损耗 陶瓷材料 立方相 主晶相 | ||
【主权项】：
1.脉冲储能介质陶瓷材料，其特征在于，主晶相为立方相SrTiO3，通式为Sr1‑x‑1.5yCaxBiyTiO3，0.05≤x≤0.2,0.05≤y≤0.2。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学;西南科技大学，未经电子科技大学;西南科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810459717.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
