[发明专利]磊晶晶圆以及其制造方法在审
| 申请号： | 201810459772.X | 申请日： | 2018-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN109148656A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 筱原政幸;樋口晋;高桥雅宣 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京京万通知识产权代理有限公司 11440 | 代理人： | 许天易 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种磊晶晶圆的制造方法，相较以往的磊晶晶圆，发光亮度为之提升，其于基板上形成n型磊晶层、p型磊晶层，其中，n型磊晶层及p型磊晶层由含有选自GaAsP及GaP的化合物半导体的层所形成，n型磊晶层的形成具有形成化合物半导体组成为固定且含固定浓度氮的第一n型层的步骤，p型磊晶层的形成具有于第一n型层上形成化合物半导体组成为固定且含固定浓度氮的第一p型层的步骤以及于第一p型层的上方形成化合物半导体组成为固定且不含氮且较第一p型层的载子浓度为高的第二p型层的步骤，第一n型层的厚度较第一p型层的厚度为薄。 | ||
| 搜索关键词： | 磊晶层 化合物半导体 基板 制造 发光 | ||
【主权项】：
1.一种磊晶晶圆的制造方法，透过磊晶成长，于基板上通过n型掺杂剂掺杂用气体的导入而形成n型磊晶层，于该n型磊晶层上通过p型掺杂剂掺杂用气体的导入形成p型磊晶层，其中，该n型磊晶层及该p型磊晶层由含有选自GaAsP及GaP的化合物半导体的层所形成，该n型磊晶层的形成具有形成第一n型层的步骤，该形成第一n型层的步骤为形成该化合物半导体的组成为固定且通过氮掺杂用气体的导入而含有固定浓度的氮的第一n型层，该p型磊晶层的形成具有形成第一p型层的步骤以及形成第二p型层的步骤，该形成第一p型层的步骤为于该第一n型层上形成该化合物半导体的组成为固定且通过氮掺杂用气体的导入而含有固定浓度的氮的第一p型层，该形成第二p型层的步骤为于该第一p型层的上方形成该化合物半导体的组成为固定且不含氮且较该第一p型层的载子浓度为高的第二p型层，该第一n型层的厚度较该第一p型层的厚度为薄。
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