[发明专利]相移掩模板、相移掩模光刻设备以及相移掩模板的制作方法在审
申请号: | 201810459879.4 | 申请日: | 2018-05-15 |
公开(公告)号: | CN108445707A | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 睿力集成电路有限公司 |
主分类号: | G03F1/26 | 分类号: | G03F1/26 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 张臻贤;武晨燕 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种相移掩模板,将透光区分为不透光区两侧分别相邻的第一透光区和第二透光区,且第一透光区和第二透光区交替分布,由于第一透光区的厚度与第二透光区的厚度之间形成有预设高度差,分别通过第一透光区和第二透光区的两条光束之间形成180度的相位差,使得第一出射光束与第二出射光束抵消于相移掩模板下方的晶圆表面上的暗区图案处,以修正暗区图案,使得在晶圆表面形成的暗区图案的条纹宽度一致,提高了晶圆表面的光刻图形的图像分辨率。本发明还提供了一种相移掩模光刻设备以及一种相移掩模板的制作方法,具有上述技术效果。 | ||
搜索关键词: | 透光区 掩模板 相移 晶圆表面 暗区 出射光束 光刻设备 相移掩模 图案 图像分辨率 不透光区 光刻图形 技术效果 交替分布 宽度一致 高度差 图案处 相位差 条纹 透光 预设 制作 抵消 修正 | ||
【主权项】:
1.一种相移掩模板,其特征在于,包括:不透光的图案覆盖的不透光区;及未被所述图案覆盖的多个第一透光区和第二透光区,所述不透光区形成于所述第一透光区和所述第二透光区之间,且所述第一透光区和所述第二透光区交替分布;其中,透过所述第一透光区的第一出射光束与透过所述第二透光区的第二出射光束之间具有180度的相位差,使得所述第一出射光束与所述第二出射光束抵消于所述相移掩模板下方的晶圆表面上的暗区图案处,以修正所述暗区图案,所述暗区图案与所述不透光区对准。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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