[发明专利]具有能隙渐变的电洞阻隔层的异质接面双极性晶体管结构有效
| 申请号： | 201810461188.8 | 申请日： | 2018-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN109671770B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 金宇中;黄朝兴;曾敏男;陈凯榆 | 申请（专利权）人： | 全新光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;安利霞 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有能隙渐变的电洞阻隔层的异质接面双极性晶体管结构，包括一由N型III‑V族半导体形成并设置在一基板上的次集极层；一由N型III‑V族半导体形成并设置在次集极层上的集极层；一设置在集极层上的电洞阻隔层；一由P型III‑V族半导体形成并设置在电洞阻隔层上的基极层；一设置在基极层上并由N型能隙大于基极层的III‑V族半导体形成的射极层；一由N型III‑V族半导体形成并设置在射极层上的射极盖层；和一由N型III‑V族半导体形成并设置在射极盖层上的欧姆接触层；其中电洞阻隔层的能隙由基极层向集极层方向至少包含由小而大的能隙渐变且最大能隙大于基极层与集极层的能隙，可有效增进元件整体电气特性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 渐变 阻隔 异质接面双 极性 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
1.一种具有能隙渐变的电洞阻隔层的异质接面双极性晶体管结构，其特征在于，包括：一次集极层，由N型III‑V族半导体形成，并设置在一基板上；一集极层，设置在所述次集极层上，并由N型III‑V族半导体形成；一电洞阻隔层，设置在所述集极层上，并由AlGaAs、AlGaAsN、AlGaAsP、AlGaAsSb及InAlGaAs的至少其中之一形成，其中，Al成分小于22％，In、N、P及Sb成分分别小于或等于10％；一基极层，设置在所述电洞阻隔层上，并由P型III‑V族半导体形成；一射极层，设置在所述基极层上，并由N型能隙大于基极层的III‑V族半导体形成；一射极盖层，设置在所述射极层上，并由N型III‑V族半导体形成；以及一欧姆接触层，设置在所述射极盖层上，并由N型III‑V族半导体形成；其中，所述电洞阻隔层的能隙由所述基极层往所述集极层方向至少包含由小而大的能隙渐变且能隙渐变的最大能隙分别大于所述基极层与所述集极层的能隙。
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