[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法及电力变换装置

摘要

针对在低耐压区域与高耐压区域间具备高耐压分离区域，且具备从低耐压区域向高耐压区域的电平移位功能的半导体装置，兼顾芯片尺寸的缩小及电分离的确保。半导体装置(1)具备P型低电位区域(2)、N型第一区域(3a)、N型第二区域(3b)、N型第三区域(3c)、环状沟槽(11)和P型分割区域(10)。N型第一区域设于P型SOI衬底(100)具备的P型SOI层(2b)的主面。N型第一区域具备凹部(3a1)。N型第三区域以与凹部的边缘分离的方式设置于N型第一区域的凹部内侧。在N型第三区域表面形成有电平移位元件(20)。P型分割区域是沿N型第一区域的凹部和N型第三区域的边界以“コ”字状延伸的狭缝状区域。

主权项

1.一种半导体装置，其具备：P型SOI衬底，其具备绝缘层以及与所述绝缘层重叠的P型SOI层；N型的第一区域，其设置于所述P型SOI层的主面，该第一区域具备在所述主面的平面视图中，周缘的一部分在所述主面的面方向凹陷的凹部；环状沟槽，其在所述主面的平面视图中在所述第一区域的中央区域设置为环状，该环状沟槽的内部由绝缘物填满，该环状沟槽到达至所述绝缘层；N型的第二区域，其在所述主面的平面视图中，设置于所述环状沟槽的内侧；N型的第三区域，其在所述主面的平面视图中，以与所述凹部的边缘分离的方式设置于所述第一区域的所述凹部的内侧，在该第三区域形成有电平移位元件；以及P型分割区域，其包含第一分割部以及第二分割部，该P型分割区域在所述主面的平面视图中沿所述第一区域的所述凹部与所述第三区域的边界延伸，该第一分割部被所述第二区域和所述第三区域夹着，该第二分割部被所述第一区域和所述第三区域夹着。