[发明专利]具有超薄GaAs发射层的变Al组分透射式GaAlAs光电阴极在审
| 申请号： | 201810461454.7 | 申请日： | 2018-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN108649076A | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 陈鑫龙;唐光华;杨杰;杨佩佩;刘昌春 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有超薄GaAs发射层的变Al组分透射式GaAlAs光电阴极，该阴极自下而上由Corning 7056#玻璃基底、SiO2保护层、Si3N4增透层、Ga1‑x1Alx1As窗口层、变Al组分Ga1‑x2Alx2As吸收层、超薄GaAs发射层以及Cs/O激活层组成，采用超高真空Cs/O激活技术获得负电子亲和势表面。制备得到的具有超薄GaAs发射层的变Al组分GaAlAs光电阴极的光谱响应对蓝绿光敏感，结合微通道板构成蓝绿光响应像增强器，可应用于海洋探测、水下通信、水下搜救等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 发射层 光电阴极 蓝绿光 透射式 阴极 负电子亲和势 超高真空 光谱响应 海洋探测 技术获得 水下通信 微通道板 像增强器 玻璃基 窗口层 激活层 吸收层 增透层 搜救 制备 激活 敏感 响应 应用 | ||
【主权项】：
1.一种具有超薄GaAs发射层的变Al组分透射式GaAlAs光电阴极，其特征在于，该阴极自下而上由硼硅玻璃基底(1)、SiO2保护层(2)、Si3N4增透层(3)、Ga1‑x1Alx1As窗口层(4)、变Al组分Ga1‑x2Alx2As吸收层(5)、超薄GaAs发射层(6)以及Cs/O激活层(7)组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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