[发明专利]一种金属/介质超宽带吸收薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201810466339.9 | 申请日： | 2018-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN108515743B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 焦宏飞;钮信尚;张学敏;马彬;张锦龙;程鑫彬;王占山 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | B32B9/00 | 分类号： | B32B9/00;B32B9/04;B32B15/00;B32B27/36;B32B27/06;B32B37/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 翁惠瑜 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种金属/介质超宽带吸收薄膜及其制备方法，所述金属/介质超宽带吸收薄膜包括由下而上依次设置的基板、第一薄膜和第二薄膜，所述第一薄膜(2)为由低折射率介质膜层L和高吸收金属薄层H交替设置构成的金属/介质膜堆，且第一薄膜与基板接触的一侧为低折射率介质膜层L，所述第二薄膜为一单层低折射率介质减反膜AR。与现有技术相比，本发明省略了传统厚层贵金属衬底，增加了薄膜与基板间的附着力和牢固度，选材方法新颖，实现了400nm‑7000nm约7μm的吸收带宽，薄膜平均吸收率大于92％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 介质 宽带 吸收 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属/介质超宽带吸收薄膜，其特征在于，包括由下而上依次设置的基板(1)、第一薄膜(2)和第二薄膜(3)，所述第一薄膜(2)为由低折射率介质膜层L和高吸收金属薄层H交替设置构成的金属/介质膜堆，且第一薄膜(2)与基板(1)接触的一侧为低折射率介质膜层L，所述第二薄膜(3)为一单层低折射率介质减反膜AR。
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