[发明专利]一种用于PVT法生长的碳化硅晶体的原料烧结工艺在审
| 申请号： | 201810466517.8 | 申请日： | 2018-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN108624963A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 陈华荣;张洁;廖弘基;蔡如腾 | 申请（专利权）人： | 福建北电新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C04B35/64;C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 362211 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于PVT法生长的碳化硅晶体的原料烧结工艺，在PVT法对碳化硅原料引入烧结工艺，设计烧结治具，先用设计的烧结治具对碳化硅原料进行烧结，再利用PVT法生长碳化硅晶体。本发明公开的用于PVT法生长的碳化硅晶体的原料烧结工艺，通过对碳化硅原料的烧结，碳化硅原料形成一定的结构，减弱碳化硅原料的结晶现象，降低碳化硅原料的致密化程度，同时烧结过程可以去除碳化硅原料中携带的杂质，可以有效控制和维持PVT法生长的碳化硅晶体的充分升华和稳定的生长速度，提高碳化硅原料的利用率和碳化硅晶体的收率。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅原料 碳化硅晶体 烧结工艺 烧结 生长 治具 结晶现象 烧结过程 有效控制 再利用 致密化 去除 收率 升华 携带 引入 | ||
【主权项】：
1.一种用于PVT法生长的碳化硅晶体的原料烧结工艺，其特征在于，所述用于PVT法生长的碳化硅晶体的原料烧结工艺，工艺步骤如下：S10，在厚度为5mm～20mm的石墨坩埚中装入1.0kg～1.4kg纯度为5N～6N的碳化硅原料推平，装入烧结治具，烧结治具底部与碳化硅原料上表面距离5mm～40mm；S20，将石墨坩埚抽真空，充入氩气控制压力在20mbar～500mbar，利用水冷式感应线圈通电感应加热石墨坩埚，在5h～10h内加热至温度达到1000℃～2000℃，之后在10h～30h内降温至45℃～55℃；S30，降温后取出装有烧结好的原料的石墨坩埚，装入带有4寸偏4°的4H籽晶的坩埚盖，之后再次抽真空到压力5x10‑2mbar以下，抽气速率为50mbar/min，并再次充入氩气，开始加热石墨坩埚促进生长，在温度为2100℃～2300℃的环境下连续生长3d～5d后，得到碳化硅晶体。
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