[发明专利]半导体封装以及制造该半导体封装的方法在审
| 申请号： | 201810466695.0 | 申请日： | 2018-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN108933123A | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 李相殷 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L27/02;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了半导体封装以及制造该半导体封装的方法。该半导体封装包括：第一半导体芯片，包括第一区域、第二区域以及在第一区域与第二区域之间的边界区域；以及第二半导体芯片，设置在第一半导体芯片上，其中第二半导体芯片与边界区域的一部分和第一区域重叠，并且不与第二区域重叠，其中第一电路元件设置在第一区域中并且第二电路元件设置在边界区域中，其中第二电路元件应力耐受度大于第一电路元件应力耐受度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体封装 半导体芯片 第一区域 电路元件 边界区域 第二区域 应力耐受 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装，包括：第一半导体芯片，包括第一区域、第二区域以及在所述第一区域和所述第二区域之间的边界区域；和第二半导体芯片，设置在所述第一半导体芯片上，其中所述第二半导体芯片与所述边界区域的一部分和所述第一区域重叠，并且不与所述第二区域重叠，其中第一电路元件设置在所述第一区域中并且第二电路元件设置在所述边界区域中，并且其中第二电路元件应力耐受度大于第一电路元件应力耐受度。
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