[发明专利]一种基于模拟退火的三维集成电路分层方法及装置在审

专利信息
申请号: 201810466699.9 申请日: 2018-05-16
公开(公告)号: CN108363897A 公开(公告)日: 2018-08-03
发明(设计)人: 谭洪舟;梁耀淦;谢舜道;陈荣军;朱雄泳;曾衍瀚 申请(专利权)人: 佛山市顺德区中山大学研究院;广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院;中山大学
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 左恒峰
地址: 528399 广东省佛山市顺德区*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种基于模拟退火的三维集成电路分层方法,通过执行内循环并同时对不同层进行扰动操作,使得不同层之间的功能模块能够进行重组,然后再通过比较旧解与新解选出更优解,以及基于所有的更优解来选出其中的最优解,该最优解即是考虑了硅通孔数量及层间面积差异的因素的解,因此可以根据最优解对应的功能模块在各层中的分布状态来对集成电路进行分层。因此,本发明通过对三维集成电路进行合理分层,有效地考虑了硅通孔数量及层间面积差异的因素影响,相比于传统技术,能够减少设置硅通孔的数量以及使不同层的面积设置得相对平衡,有利于提高信号传输能力。
搜索关键词: 分层 三维集成电路 硅通孔 最优解 面积差异 模拟退火 层间 信号传输能力 分布状态 因素影响 内循环 有效地 扰动 集成电路 平衡
【主权项】:
1.一种基于模拟退火的三维集成电路分层方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、随机初始化集成电路中的功能模块及模拟退火参数,记录功能模块所处层的编号并获得旧解;其中,所述模拟退火参数包括初始温度、冷却参数、终止温度和每个温度下的内循环次数;S2、在初始温度下执行内循环,同时对不同编号的层进行扰动操作,从而获得新解;S3、将旧解与新解进行硅通孔数量及层间面积差异的计算比较,选出其中的更优解,并判断是否完成所有次数的内循环,若是则记录该更优解并执行步骤S4,否则返回步骤S2,执行剩余次数的内循环;S4、按照冷却参数进行模拟降温,每降低一次后判断是否达到终止温度,若是则停止模拟降温,执行步骤S5,否则返回步骤S2;S5、从记录的所有更优解中择出最优解,根据最优解对应的功能模块在各层中的分布状态来对集成电路进行分层。
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