[发明专利]一种低电阻率n型氧化亚铜薄膜的真空制备方法有效
| 申请号： | 201810466705.0 | 申请日： | 2018-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN108642448B | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 冯先进;许萌;刘晓辉 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/28;C23C14/58 |
| 代理公司： | 37219 济南金迪知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨树云 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低电阻率n型氧化亚铜薄膜的真空制备方法，包括：(1)清洗衬底；(2)在所述衬底上生长Cu | ||
| 搜索关键词： | 低电阻率 等离子体处理 真空制备 衬底 光学和电学性质 优化工艺参数 太阳能电池 薄膜结构 制备工艺 电阻率 迁移率 禁带 制备 薄膜 清洗 生长 调控 应用 优化 探索 | ||
【主权项】：
1.一种低电阻率n型氧化亚铜薄膜的真空制备方法，其特征在于，包括：/n(1)清洗衬底；/n(2)在所述衬底上生长Cu
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