[发明专利]非易失性存储装置、半导体装置以及电子设备有效
| 申请号： | 201810466960.5 | 申请日： | 2018-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN108962327B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 宫崎竹志 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 邓毅;李庆泽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供非易失性存储装置、半导体装置以及电子设备。非易失性存储装置具有：第1参考单元；第2参考单元；生成与在第1参考单元中流过的电流成比例的第1镜像电流的电路；生成与在第2参考单元中流过的电流成比例的第2镜像电流的电路；读出放大器，其对在存储器单元中流过的电流与参考电流进行比较，读出数据；以及选择电路，其以在读出模式下至少根据第1镜像电流来生成参考电流、在校验模式下根据第2镜像电流来生成参考电流的方式，设定第1参考单元或第2参考单元的选择状态。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 半导体 以及 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储装置，其中，该非易失性存储装置具有：第1参考单元，其处于擦除状态与程序状态之间的中间状态或程序状态；擦除状态的第2参考单元；第1电流镜电路，其在所述第1参考单元的选择状态下生成与在所述第1参考单元中流过的电流成比例的第1镜像电流；第2电流镜电路，其在所述第2参考单元的选择状态下生成与在所述第2参考单元中流过的电流成比例的第2镜像电流；读出放大器，其通过对在存储器单元中流过的电流与参考电流进行比较，读出所述存储器单元所存储的数据；以及选择电路，其以在读出模式下至少根据所述第1镜像电流生成所述参考电流、在校验模式下根据所述第2镜像电流生成所述参考电流的方式，设定所述第1参考单元或所述第2参考单元的选择状态。
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