[发明专利]一种薄膜太阳能电池板生产方法有效
申请号: | 201810468326.5 | 申请日: | 2018-05-16 |
公开(公告)号: | CN108428754B | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 汪玉洁;张云鹤 | 申请(专利权)人: | 浙江华力管业有限公司 |
主分类号: | H01L31/0463 | 分类号: | H01L31/0463;H01L31/18 |
代理公司: | 11530 北京华识知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘艳玲<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 314500 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明属于薄膜太阳能电池技术领域,具体的说是一种薄膜太阳能电池板生产方法,该方法采用激光刻膜装置包括一号压紧单元、二号压紧单元和刻膜单元;刻膜单元通过一号压紧单元和二号压紧单元安装在密封仓的内壁上;密封仓的底部固定安装有隔离罩;隔离罩的底部设有出气口;抽吸泵通过对出气口抽气时,薄膜太阳能电池板和密封仓底板之间的气体通过通孔、隔离罩和出气口被排出,从而使薄膜太阳能电池板和密封仓底板之间贴合,能够对薄膜电池进行整平。本发明主要用于对薄膜太阳能电池板进行刻线,能够提高薄膜太阳能电池板的刻线精度,能够对薄膜太阳能电池板进行整平;提高了薄膜太阳能电池板的表面平整度。 | ||
搜索关键词: | 薄膜太阳能电池板 压紧单元 密封仓 出气口 隔离罩 底板 膜单元 刻线 整平 薄膜太阳能电池 激光刻膜装置 表面平整度 薄膜电池 气体通过 抽吸泵 抽气 内壁 排出 贴合 通孔 生产 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜太阳能电池板生产方法,其特征在于:该方法包括如下步骤:/n步骤一:对玻璃进行切割,对切割后的玻璃进行磨边;/n步骤二:将步骤一中的玻璃进行镀膜,形成太阳能电池板;/n步骤三:将步骤二中的太阳能电池板放入到激光刻膜装置进行激光刻线,激光刻膜装置对太阳能电池板表面的粉尘进行清理;/n步骤四:对步骤三中的太阳能电池板进行裂片;/n步骤五:对步骤四中裂片后的太阳能电池板进行组装;/n该方法采用的激光刻膜装置包括密封仓(4)、一号压紧单元(1)、二号压紧单元(2)和刻膜单元(3);所述刻膜单元(3)通过一号压紧单元(1)和二号压紧单元(2)安装在密封仓(4)的内壁上;密封仓(4)的底板上设有通孔(41),密封仓(4)的底部固定安装有隔离罩(42);所述隔离罩(42)的底部设有出气口(43);抽吸泵通过对出气口(43)抽气,薄膜太阳能电池板和密封仓(4)底板之间的气体通过通孔(41)、隔离罩(42)和出气口(43)被排出,从而使薄膜太阳能电池板和密封仓(4)底板之间贴合;所述一号压紧单元(1)和二号压紧单元(2)为同一构件;其中,/n所述一号压紧单元(1)包括一号支撑板(11)、一号滑块(12)、支架(13)和压紧轮(14),所述一号支撑板(11)的底表面设有一号滑槽(15),所述一号滑块(12)设于一号滑槽(15)中,一号滑块(12)的底表面通过支架(13)与压紧轮(14)转动连接;一号滑块(12)在一号滑槽(15)中运动,能够带动压紧轮(14)对薄膜太阳能电池板进行压平;/n所述刻膜单元(3)的两端设有二号滑块(16),所述一号支撑板(11)上设有二号滑轨(17),所述二号滑块(16)通过与二号滑轨(17)配合来带动刻膜单元(3)滑动;所述刻膜单元(3)包括二号安装板(31)、固定块(32)、二号导杆(33)、刻膜装置(34);所述二号安装板(31)的底表面固定安装有固定块(32),所述刻膜装置(34)通过二号导杆(33)安装在固定块(32)上,所述二号导杆(33)用于刻膜装置(34)作直线运动;/n所述刻膜装置(34)包括三号安装块(35)、三号转动杆(36)、激光发生器(37);所述三号安装块(35)中设有三号孔,所述三号转动杆(36)位于三号孔中,三号转动杆(36)的顶部与电机连接,三号转动杆(36)的底部与激光发生器(37)固定连接;所述三号转动杆(36)的外层固定连接有清理单元(38)。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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