[发明专利]锂/纳米碳化硅电池及其制备工艺有效

专利信息
申请号: 201810470451.X 申请日: 2018-05-16
公开(公告)号: CN108649206B 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 张泽森;张洪涛 申请(专利权)人: 武汉楚能电子有限公司
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/38;H01M4/583;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 代理人: 刘琳
地址: 430000 湖北省武汉市洪*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种锂/纳米碳化硅电池及其制备工艺,所述电池包括正极片、负极片、隔膜和电解液,正极片采用纳米碳化硅材料制成,负极片采用锂铝合金和纳米碳化硅的复合材料制成,隔膜为Celguard,电解液为六氟磷锂或者固体电解质,负极片中锂元素与正极片中纳米碳化硅的质量比不大于0.7:1。本发明通过精确控制锂铝合金和纳米碳化硅负极片中的锂含量与正极中的纳米碳化硅的比容量的配比关系,从而形成强度高和安全性能高的电极,可以大大减少锂的用量,且能够把锂导致的电路短路接触引起的爆炸减少到最低。
搜索关键词: 纳米 碳化硅 电池 及其 制备 工艺
【主权项】:
1.一种锂/纳米碳化硅电池,包括正极片、负极片、隔膜和电解液,其特征在于:所述正极片采用纳米碳化硅材料制成,所述负极片采用锂铝合金和纳米碳化硅的复合材料制成,所述隔膜为Celguard,所述电解液为六氟磷锂或者固体电解质,所述负极片中锂元素与正极片中纳米碳化硅的质量比为0.7:1~0.9:1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉楚能电子有限公司,未经武汉楚能电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810470451.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top