[发明专利]一种基于种子层辅助生长的连续多层钙钛矿薄膜制备方法在审
申请号: | 201810471191.8 | 申请日: | 2018-05-17 |
公开(公告)号: | CN108649127A | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 朱瑞;罗德映;杨文强;龚旗煌 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42 |
代理公司: | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人: | 李稚婷 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公布了一种基于种子层辅助生长的连续多层钙钛矿薄膜制备方法,首先在基底上制备单晶或多晶钙钛矿前驱薄膜,然后制备金属卤化物种子层;接着基于种子层辅助制备后生长薄膜,通过与种子层材料的配合得到钙钛矿薄膜;多次重复种子层和后生长薄膜的制备得到连续多层钙钛矿薄膜。本发明通过在钙钛矿薄膜表面引入种子层,基于种子层辅助生长连续多层钙钛矿薄膜,得到高品质的连续多层钙钛矿薄膜,降低薄膜内部及表面缺陷密度,抑制非辐射复合,改善发光量子效率,提升器件性能。 | ||
搜索关键词: | 钙钛矿薄膜 种子层 制备 多层 生长 薄膜 发光量子效率 非辐射复合 金属卤化物 种子层材料 表面缺陷 多次重复 前驱薄膜 提升器件 钙钛矿 高品质 单晶 多晶 基底 引入 配合 | ||
【主权项】:
1.一种连续多层钙钛矿薄膜的制备方法,包括以下步骤:1)在基底上制备单晶或多晶钙钛矿前驱薄膜;2)在单晶或多晶钙钛矿前驱薄膜上制备金属卤化物种子层;3)基于种子层辅助制备后生长薄膜,通过与种子层材料的配合得到钙钛矿薄膜;4)多次重复步骤2)和步骤3)制备得到连续多层钙钛矿薄膜。
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